N-CHANNEL POWER MOSFETS
厂商名称:SAMSUNG(三星)
厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档型号 | IRF423 | IRF420 | IRF421 | IRF422 |
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描述 | N-CHANNEL POWER MOSFETS | N-CHANNEL POWER MOSFETS | N-CHANNEL POWER MOSFETS | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
配置 | Single | Single | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.2 A | 2.5 A | 2.5 A | 2.2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 50 W | 50 W | 50 W | 50 W |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |