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IRF732-010

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
compliant
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
400 V
最大漏极电流 (ID)
4.5 A
最大漏源导通电阻
1.5 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
16 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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器件捷径:
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