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IRF820-003

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:International Rectifier ( Infineon )

厂商官网:http://www.irf.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
International Rectifier ( Infineon )
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
compli
雪崩能效等级(Eas)
210 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (ID)
2.5 A
最大漏源导通电阻
3 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
225
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
8 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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