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IRF9641-011

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：International Rectifier （ Infineon ）

厂商官网：http://www.irf.com/

参数预览

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

International Rectifier （ Infineon ）

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

外壳连接

DRAIN

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

150 V

最大漏极电流 (ID)

11 A

最大漏源导通电阻

0.5 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

JESD-609代码

e0

元件数量

1

端子数量

3

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

225

极性/信道类型

P-CHANNEL

最大脉冲漏极电流 (IDM)

44 A

认证状态

Not Qualified

表面贴装

NO

端子面层

TIN LEAD

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间

30

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

1

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