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IRF9Z24N-011

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：International Rectifier （ Infineon ）

厂商官网：http://www.irf.com/

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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1445142930
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
YTEOL
0
其他特性
HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）
96 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
55 V
最大漏极电流 (ID)
12 A
最大漏源导通电阻
0.175 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
48 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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