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IRFD212

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Thomson Consumer Electronics

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参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Thomson Consumer Electronics

包装说明

,

Reach Compliance Code

unknown

配置

Single

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.45 A

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-609代码

e0

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

1 W

表面贴装

NO

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

文档预览

参数对比

与IRFD212相近的元器件有：IRFD2Z0、IRFD313、IRFD222、IRFD311。描述及对比如下：

型号	IRFD212	IRFD2Z0	IRFD313	IRFD222	IRFD311
描述	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Thomson Consumer Electronics	Thomson Consumer Electronics	Thomson Consumer Electronics	Thomson Consumer Electronics	Thomson Consumer Electronics
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
配置	Single	Single	Single	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.45 A	0.32 A	0.3 A	0.7 A	0.4 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1 W	1 W	1 W	1 W	1 W
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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