型号

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关键词

IRFF310

Power Field-Effect Transistor, 1.35A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Vishay(威世)

厂商官网：http://www.vishay.com

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参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Vishay(威世)

包装说明

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Reach Compliance Code

unknown

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

400 V

最大漏极电流 (ID)

1.35 A

最大漏源导通电阻

3.6 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-205

JESD-30 代码

O-MBCY-W3

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

METAL

封装形状

ROUND

封装形式

CYLINDRICAL

极性/信道类型

N-CHANNEL

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

WIRE

端子位置

BOTTOM

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

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