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IRFP064N-203

Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:International Rectifier ( Infineon )

厂商官网:http://www.irf.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
International Rectifier ( Infineon )
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)
480 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
55 V
最大漏极电流 (ID)
110 A
最大漏源导通电阻
0.008 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
225
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
390 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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器件捷径:
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