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IRFR13N20DTRRP

MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件:IRFR13N20DTRRP

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器件参数
参数名称
属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHS
Details
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
14 A
Rds On - Drain-Source Resistance
235 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Qg - Gate Charge
25 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
系列
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
10 ns
高度
Height
2.3 mm
长度
Length
6.5 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
110 W
Rise Time
27 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
1 N-Channel
类型
Type
Smps Mosfet
Typical Turn-Off Delay Time
17 ns
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
宽度
Width
6.22 mm
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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