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IRFR214TRPBF

Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:International Rectifier ( Infineon )

厂商官网:http://www.irf.com/

器件标准:  

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IRFR214TRPBF 在线购买

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器件:IRFR214TRPBF

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
TO-252AA
包装说明
LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
其他特性
AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)
190 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.2 A
最大漏极电流 (ID)
2.2 A
最大漏源导通电阻
2 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-252AA
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
8.8 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与IRFR214TRPBF相近的元器件有:IRFR214TRLPBF、IRFR214TRRPBF。描述及对比如下:
型号 IRFR214TRPBF IRFR214TRLPBF IRFR214TRRPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown not_compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 190 mJ 190 mJ 190 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 250 V 250 V 250 V
最大漏极电流 (ID) 2.2 A 2.2 A 2.2 A
最大漏源导通电阻 2 Ω 2 Ω 2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 8.8 A 8.8 A 8.8 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.2 A - 2.2 A
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 25 W - 25 W
厂商名称 - International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
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