型号

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关键词

IRFS541

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

器件类别：晶体管

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

SAMSUNG(三星)

零件包装代码

SFM

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

针数

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

Is Samacsys

外壳连接

ISOLATED

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

80 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17 A

最大漏极电流 (ID)

17 A

最大漏源导通电阻

0.077 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-220AB

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

40 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

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