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关键词

IRFU111

Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

SAMSUNG(三星)

包装说明

IN-LINE, R-PSIP-T3

针数

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

雪崩能效等级（Eas）

13 mJ

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

80 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.4 A

最大漏极电流 (ID)

4.7 A

最大漏源导通电阻

0.54 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

R-PSIP-T3

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

极性/信道类型

N-CHANNEL

功耗环境最大值

25 W

最大功率耗散 (Abs)

25 W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

17 A

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

最大关闭时间（toff）

42 ns

最大开启时间（吨）

47 ns

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