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IRFU222

3.8A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Rochester Electronics

厂商官网：https://www.rocelec.com/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Rochester Electronics
Reach Compliance Code
unknown
雪崩能效等级（Eas）
85 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
200 V
最大漏极电流 (ID)
3.8 A
最大漏源导通电阻
1.2 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-251AA
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
15 A
认证状态
COMMERCIAL
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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参数对比
与IRFU222相近的元器件有：IRFU221、IRFR221、IRFR220、IRFR222、IRFU220。描述及对比如下：
型号 IRFU222 IRFU221 IRFR221 IRFR220 IRFR222 IRFU220
描述 3.8A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 4.6A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 4.6A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.8A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
雪崩能效等级（Eas） 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 150 V 150 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 3.8 A 4.6 A 4.6 A 4.6 A 3.8 A 4.6 A
最大漏源导通电阻 1.2 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 1.2 Ω 0.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251AA TO-251AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-251AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 2 2 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 15 A 18 A 18 A 18 A 15 A 18 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO NO YES YES YES NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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