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IRFU9025

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SAMSUNG(三星)
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
440 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9 A
最大漏极电流 (ID)
9 A
最大漏源导通电阻
0.33 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
极性/信道类型
P-CHANNEL
功耗环境最大值
42 W
最大功率耗散 (Abs)
42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
36 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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