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IRFY9140R1

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：TT Electronics plc

厂商官网：http://www.ttelectronics.com/

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
TT Electronics plc
包装说明
FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
13 A
最大漏源导通电阻
0.24 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-MSFM-T3
JESD-609代码
e1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
METAL
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
P-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN SILVER COPPER
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
IRFY9140
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
4.70
5.00
0.70
0.90
3.56
Dia.
3.81
10.41
10.67
P–CHANNEL
POWER MOSFET
FOR HI–REL
APPLICATIONS
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
FEATURES
0.89
1.14
16.38
16.89
13.39
13.64
1 2 3
12.70
19.05
-100V
-13A
Ω
0.21Ω
10.41
10.92
2.54
BSC
2.65
2.75
• HERMETICALLY SEALED TO–220 METAL
PACKAGE
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
TO–220M – Metal Package
Pad 1 – Gate
Pad 2 – Drain
Pad 3 – Source
• LIGHTWEIGHT
• SCREENING OPTIONS AVAILABLE
• ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
stg
R
θJC
R
θJA
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
case
= 25°C
Continuous Drain Current @ T
case
= 100°C
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to Ambient
±20V
-13A
-8.2A
-52A
60W
0.48W/°C
–55 to 150°C
2.1°C/W max.
80°C/W max.
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 9/95
IRFY9140
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
BV
DSS
∆T
J
R
DS(on)
STATIC ELECTRICAL RATINGS
Drain – Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage
Static Drain – Source On–State
Resistance
Forward Transconductance
Zero Gate Voltage Drain Current
Forward Gate – Source Leakage
Reverse Gate – Source Leakage
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Gate – Source Charge
Gate – Drain (“Miller”) Charge
Turn–On Delay Time
Rise Time
Turn–Off Delay Time
Fall Time
Test Conditions
V
GS
= 0
I
D
= 1mA
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
≥
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
f = 1MHz
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= -13A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= -50V
I
D
= -13A
R
G
= 9.1Ω
I
D
= -13A
I
D
= -8.2A
I
D
= -13A
I
D
= 250µA
I
DS
= -8.2A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
I
D
= 1mA
Min.
-100
Typ.
Max.
Unit
V
∆BV
DSS
Temperature Coefficient of
Reference to 25°C
-0.09
0.21
0.24
-2
6.2
25
250
100
-100
1400
600
200
31
3.7
7
60
13
35.2
35
85
85
65
-13
-52
-4
V / °C
Ω
V
S(Ω
µA
nA
)
Ω
(
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
L
D
L
S
pF
nC
nC
ns
SOURCE – DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Continuous Source Current
Pulse Source Current
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
PACKAGE CHARACTERISTICS
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
I
S
= -13A
V
GS
= 0
I
S
= -13A
T
J
= 25°C
d
i
/ d
t
≤
100A/µs V
DD
≤
50V
(from 6mm down drain lead pad to centre of die)
A
V
ns
µC
T
J
= 25°C
-4.2
280
3.6
8.7
8.7
nH
(from 6mm down source lead to centre of source bond pad)
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 9/95
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参数对比
与IRFY9140R1相近的元器件有：IRFY9140-JQR-B、IRFY9140、IRFY9140-QR-EB。描述及对比如下：
型号 IRFY9140R1 IRFY9140-JQR-B IRFY9140 IRFY9140-QR-EB
描述 Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 13 A 13 A 13 A 13 A
最大漏源导通电阻 0.24 Ω 0.24 Ω 0.24 Ω 0.24 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-MSFM-T3 R-MSFM-T3 R-MSFM-T3 R-MSFM-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
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