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首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

IRGPH50FD1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：International Rectifier （ Infineon ）

厂商官网：http://www.irf.com/

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
International Rectifier （ Infineon ）
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
compliant
其他特性
FAST
集电极-发射极最大电压
1200 V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值
5.5 V
JEDEC-95代码
TO-247
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
MOTOR CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
VCEsat-Max
2.9 V
Base Number Matches
1
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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