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IRHG7214

RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:International Rectifier ( Infineon )

厂商官网:http://www.irf.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
International Rectifier ( Infineon )
包装说明
IN-LINE, R-CDIP-T14
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
RADIATION HARDENED
雪崩能效等级(Eas)
75 mJ
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小漏源击穿电压
250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5 A
最大漏极电流 (ID)
0.5 A
最大漏源导通电阻
2.4 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
MO-036AB
JESD-30 代码
R-CDIP-T14
JESD-609代码
e0
元件数量
4
端子数量
14
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
1.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
2 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与IRHG7214相近的元器件有:IRHG3214、IRHG4214、IRHG8214。描述及对比如下:
型号 IRHG7214 IRHG3214 IRHG4214 IRHG8214
描述 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 IN-LINE, R-CDIP-T14 IN-LINE, R-CDIP-T14 IN-LINE, R-CDIP-T14 IN-LINE, R-CDIP-T14
Reach Compliance Code compli compliant compli unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 75 mJ 75 mJ 75 mJ 75 mJ
配置 SEPARATE, 4 ELEMENTS SEPARATE, 4 ELEMENTS SEPARATE, 4 ELEMENTS SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小漏源击穿电压 250 V 250 V 250 V 250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
最大漏极电流 (ID) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
最大漏源导通电阻 2.4 Ω 2.4 Ω 2.4 Ω 2.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MO-036AB MO-036AB MO-036AB MO-036AB
JESD-30 代码 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 4 4 4 4
端子数量 14 14 14 14
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.4 W 1.4 W 1.4 W 1.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 2 A 2 A 2 A 2 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
热门器件
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器件捷径:
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