型号

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关键词

IRL3202-031

Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Infineon(英飞凌)

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

其他特性

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

20 V

最大漏极电流 (ID)

48 A

最大漏源导通电阻

0.016 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-220AB

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

JESD-609代码

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

N-CHANNEL

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子面层

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

文档预览

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