型号

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关键词

IRL3803-015

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Infineon(英飞凌)

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

其他特性

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

外壳连接

DRAIN

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

30 V

最大漏极电流 (ID)

120 A

最大漏源导通电阻

0.006 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-220AB

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

JESD-609代码

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

N-CHANNEL

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子面层

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

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器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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