型号

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关键词

IRLZ14-015

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Infineon(英飞凌)

Reach Compliance Code

unknow

ECCN代码

EAR99

其他特性

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

雪崩能效等级（Eas）

68 mJ

外壳连接

DRAIN

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

60 V

最大漏极电流 (ID)

10 A

最大漏源导通电阻

0.2 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-220AB

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

JESD-609代码

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大脉冲漏极电流 (IDM)

40 A

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子面层

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

文档预览

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