首页 > 器件类别 > 光电子/LED > 红外线数据通信 > 红外发射源

IRL 80A

红外发射源 Infrared, 950nm HALF ANGLE +/-30DEG

器件类别:光电子/LED    红外线数据通信    红外发射源   

厂商名称:Osram Opto Semiconductor

厂商官网:https://www.osram.com/index-2.jsp

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Osram Opto Semiconductor
产品种类
红外发射源
安装风格
Through Hole
波长
950 nm
辐射强度
0.4 mW/sr
射束角
30 deg
If - 正向电流
20 mA
Vf - 正向电压
1.2 V
功率额定值
100 mW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装 / 箱体
Side Looker
高度
5.84 mm
照明颜色
Infrared
长度
4.57 mm
类型
GaAs Infrared Emitter
宽度
2.54 mm
透镜形状
Circular
显示角
30 deg
下降时间
500 ns
透镜尺寸
1.52 mm x 1.52 mm x 0.84 mm
上升时间
500 ns
工厂包装数量
2000
Vr - 反向电压
3 V
文档预览
2013-08-01
GaAs Infrared Emitter
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
Version 1.1
IRL 80 A
Features:
• GaAs infrared emitting diode
• Clear plastic package with lateral emmision
• Low cost plastic package
• Long term stability
• Matches phototransistor LPT 80A
• GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich
• Klares Miniaturkunststoffgehäuse, seitliche
Abstrahlung
• Preiswertes Kunststoffgehäuse
• Lange Lebensdauer (Langzeitstabilität)
• Passend zum Fototransistor LPT 80A
Besondere Merkmale:
Applications
• For a variety of manufacturing and monitoring
applications, which require beam interruption
• Photointerrupters
• Fertigungs- und Kontrollanwendungen der
Industrie, die eine Unterbrechung des Lichtstrahls
erfordern
• Lichtschranken
Anwendungen
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
2013-08-01
1
Version 1.1
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
F
= 20 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
IRL 80A
Note:
Anm.:
IRL 80 A
Ordering Code
Bestellnummer
3.5 (≥ 0.4)
measured at a solid angle of
= 0.01 sr
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Q68000A7851
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Total power dissipation
Verlustleistung
Derate above, T
A
> 25°C
Verringerung der Verlustleistung, T
A
> 25°C
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
R
thJA
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
I
F
P
tot
Values
Werte
-40 ... 100
5
60
100
1.33
450
Unit
Einheit
°C
V
mA
mW
mW / K
K/W
2013-08-01
2
Version 1.1
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 20 mA, t
p
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 20 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Active chip area
Aktive Chipfläche
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 60 mA, R
L
= 50
Ω)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100
μs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 20 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 20 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 20 mA, t
p
= 20 ms)
(typ)
Symbol
Symbol
λ
peak
Values
Werte
950
IRL 80 A
Unit
Einheit
nm
(typ)
Δλ
55
nm
(typ)
(typ)
(typ)
(typ)
ϕ
A
LxW
t
r
, t
f
± 14
0.09
0.3 x 0.3
500
°
mm
2
mm x
mm
ns
(typ)
C
0
25
pF
(typ (max)) V
F
1.2 (≤ 1.5)
V
(typ (max)) V
F
1.9 (≤ 2.5)
V
(typ (max)) I
R
0.01 (≤ 1)
µA
(typ)
TC
I
-0.55
%/K
(typ)
TC
V
-1.5
mV / K
(typ)
TC
λ
0.3
nm / K
2013-08-01
3
Version 1.1
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
F
= 20 mA, t
p
= 20 ms
I
e, min
[mW / sr]
IRL 80A
Note:
Anm.:
IRL 80 A
Max Radiant Intensity
Max Strahlstärke
I
F
= 20 mA, t
p
= 20 ms
I
e, max
[mW / sr]
5.6
0.4
measured at a solid angle of
= 0.01 sr
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Relative Spectral Emission
1)
page 9
Relative spektrale Emission
1)
Seite 9
I
rel
= f(λ), T
A
= 25°C
100
%
OHR01938
Ι
rel
80
60
40
20
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
2013-08-01
4
Version 1.1
Radiation Characteristics
1)
page 9
Abstrahlcharakteristik
1)
Seite 9
I
rel
= f(ϕ)
40˚
30˚
20˚
ϕ
IRL 80 A
10˚
1.0
OHF05617
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
90˚
0.2
0
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
Package Outline
Maßzeichnung
16.51 (0.650)
16.00 (0.630)
1.52 (0.060)
5.84 (0.230)
5.59 (0.220)
1.29 (0.051)
1.14 (0.045)
2.54 (0.100)
2.03 (0.080)
1.52 (0.060)
2.54 (0.100)
spacing
0.64 (0.025)
0.46 (0.018)
2.34 (0.092)
2.08 (0.082)
4.57 (0.180)
4.32 (0.170)
Anode
1.52 (0.060)
Plastic marking
1.70 (0.067)
1.45 (0.057)
0.64 (0.025)
0.46 (0.018)
Approx. weight 0.2 g
R = 0.76 (0.030)
GEOY6461
Dimensions in mm (inch).
/
Maße in mm (inch).
2013-08-01
5
查看更多>
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
需要登录后才可以下载。
登录取消