IS43LD32160A-18BLI,IS43LD32160A-18BLI pdf中文资料,IS43LD32160A-18BLI引脚图,IS43LD32160A-18BLI电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Integrated Silicon Solution ( ISSI )

包装说明

TFBGA,

Reach Compliance Code

compli

ECCN代码

EAR99

Factory Lead Time

12 weeks

访问模式

FOUR BANK PAGE BURST

其他特性

SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM

JESD-30 代码

R-PBGA-B134

JESD-609代码

长度

11.5 mm

内存密度

536870912 bi

内存集成电路类型

DDR DRAM

内存宽度

功能数量

端口数量

端子数量

134

字数

16777216 words

字数代码

16000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

16MX32

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TFBGA

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

座面最大高度

1.1 mm

自我刷新

YES

最大供电电压 (Vsup)

1.3 V

最小供电电压 (Vsup)

1.14 V

标称供电电压 (Vsup)

1.2 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子形式

BALL

端子节距

0.65 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

宽度

10 mm

参数对比

与IS43LD32160A-18BLI相近的元器件有：IS46LD32160A-18BLA1、IS46LD32160A-18BLA2、IS46LD32160A-18BPLA1、IS46LD32160A-18BPLA2、IS46LD32160A-25BPLA2、IS46LD32160A-3BPLA1、IS46LD32160A-3BPLA2。描述及对比如下：

型号	IS43LD32160A-18BLI	IS46LD32160A-18BLA1	IS46LD32160A-18BLA2	IS46LD32160A-18BPLA1	IS46LD32160A-18BPLA2	IS46LD32160A-25BPLA2	IS46LD32160A-3BPLA1	IS46LD32160A-3BPLA2
描述	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA134, FBGA-134	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA134, FBGA-134	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA134, FBGA-134	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
JESD-30 代码	R-PBGA-B134	R-PBGA-B134	R-PBGA-B134	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	11.5 mm	11.5 mm	11.5 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
内存密度	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	134	134	134	168	168	168	168	168
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	260	260	260	260	260
座面最大高度	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm	0.95 mm	0.95 mm	0.95 mm	0.95 mm	0.95 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V
最小供电电压 (Vsup)	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V
标称供电电压 (Vsup)	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	10	10	10	10	10	10	10
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm