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IS46DR16160A-37CBLA1

DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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供应商:

器件:IS46DR16160A-37CBLA1

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码
BGA
包装说明
TFBGA, BGA84,9X15,32
针数
84
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
12 weeks
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.5 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
266 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
4,8
JESD-30 代码
R-PBGA-B84
JESD-609代码
e1
长度
12.5 mm
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
84
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
16MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装等效代码
BGA84,9X15,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
1.8 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
筛选级别
AEC-Q100
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
4,8
最大待机电流
0.005 A
最大压摆率
0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
8 mm
参数对比
与IS46DR16160A-37CBLA1相近的元器件有:IS43DR83200A-37CBLI、IS46DR16160A-5BBLA1、IS46DR16160A-5BBLA2、IS43DR83200A-37CBI、IS43DR83200A-3DBLI、IS46DR16160A-37CBA1。描述及对比如下:
型号 IS46DR16160A-37CBLA1 IS43DR83200A-37CBLI IS46DR16160A-5BBLA1 IS46DR16160A-5BBLA2 IS43DR83200A-37CBI IS43DR83200A-3DBLI IS46DR16160A-37CBA1
描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84 DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-60 DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84 DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84 DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-60 DDR DRAM, 32MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-60 DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 不符合 符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84
针数 84 60 84 84 60 60 84
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compli unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.5 ns 0.5 ns 0.6 ns 0.6 ns 0.5 ns 0.45 ns 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 266 MHz 266 MHz 200 MHz 200 MHz 266 MHz 333 MHz 266 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B84 R-PBGA-B60 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B84
长度 12.5 mm 10.5 mm 12.5 mm 12.5 mm 10.5 mm 10.5 mm 12.5 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bi 268435456 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 8 16 16 8 8 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 84 60 84 84 60 60 84
字数 16777216 words 33554432 words 16777216 words 16777216 words 33554432 words 33554432 words 16777216 words
字数代码 16000000 32000000 16000000 16000000 32000000 32000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 105 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 16MX16 32MX8 16MX16 16MX16 32MX8 32MX8 16MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA84,9X15,32 BGA60,9X11,32 BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA84,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
最大待机电流 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A
最大压摆率 0.27 mA 0.27 mA 0.21 mA 0.21 mA 0.27 mA 0.33 mA 0.27 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 含铅
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) - Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Factory Lead Time 12 weeks - 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 16 weeks
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 - e1 e0
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 - 260 NOT SPECIFIED
筛选级别 AEC-Q100 - AEC-Q100 AEC-Q100 - - AEC-Q100
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 - 40 NOT SPECIFIED
热门器件
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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