IS63LV1024L-10TLI-TR

SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

器件类别：存储存储

厂商名称：ISSI(芯成半导体)

厂商官网：http://www.issi.com/

器件标准： Rohs认证

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器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

ISSI(芯成半导体)

零件包装代码

TSOP2

包装说明

TSOP2,

针数

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

3A991.B.2.B

Factory Lead Time

8 weeks

最长访问时间

10 ns

JESD-30 代码

R-PDSO-G32

JESD-609代码

长度

20.95 mm

内存密度

1048576 bit

内存集成电路类型

STANDARD SRAM

内存宽度

湿度敏感等级

功能数量

端子数量

字数

131072 words

字数代码

128000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

128KX8

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TSOP2

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

260

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.2 mm

最大供电电压 (Vsup)

3.45 V

最小供电电压 (Vsup)

3.15 V

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

GULL WING

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

宽度

10.16 mm

Base Number Matches

参数对比

与IS63LV1024L-10TLI-TR相近的元器件有：IS63LV1024L-10KLI-TR、IS63LV1024L-10TL、IS63LV1024L-12JL-TR、IS63LV1024L-10KLI、IS63LV1024L-12JL。描述及对比如下：

型号	IS63LV1024L-10TLI-TR	IS63LV1024L-10KLI-TR	IS63LV1024L-10TL	IS63LV1024L-12JL-TR	IS63LV1024L-10KLI	IS63LV1024L-12JL
描述	SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v	SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async SRAM 3.3v	Multiplexer Switch ICs 8:1 CMOS Mid Voltage MUX	SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 3.3v Async SRAM 3.3v	Thin Film Resistors - SMD 1206 220Kohm 0.1% 25ppm	Aluminum Organic Polymer Capacitors 35v 330uf 125degC 10 x 10.2mm SMD
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	-	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	-	compliant	compliant	compliant
Base Number Matches	1	1	-	1	1	1