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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED NPN-PNP TRANSISTOR ARRAY, FLATPACK,PROTOTY
器件类别：半导体 分立半导体 晶体管 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
厂商名称：Renesas(瑞萨电子)
器件标准：
| 型号 | ISL73096RHF/PROTO | ISL73096EHVF | ISL73127RHF/PROTO | ISL73128RHVF | ISL73128RHF/PROTO |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED NPN-PNP TRANSISTOR ARRAY, FLATPACK,PROTOTY | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED NPN-PNP TRANSISTOR ARRAY , FLATPACK, CLASS | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED NPN TRANSISTOR ARRAY, FLATPACK,PROTOTYPE | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED PNP TRANSISTOR ARRAY , FLATPACK, CLASS V | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH ULTRA HI-SPEED PNP TRANSISTOR ARRAY, FLATPACK,PROTOTYPE |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | - | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| 发货限制 | 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 | 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 | 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 | - | 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 |
| 技术 | Si | Si | Si | - | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | Flatpack-16 | Flatpack-16 | Flatpack-16 | - | Flatpack-16 |
| 晶体管极性 | NPN, PNP | NPN, PNP | NPN | - | PNP |
| 配置 | Penta | Penta | Quint | - | Quint |
| 集电极—基极电压 VCBO | - 10 V, 12 V | - 10 V, 12 V | 12 V | - | - 10 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | - 4.5 V, 5.5 V | - 4.5 V, 5.5 V | 5.5 V | - | - 4.5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V | 0.5 V | 0.5 V | - | - 0.5 V |
| 最大直流电集电极电流 | 11.3 mA | 11.3 mA | 11.3 mA | - | 11.3 mA |
| 增益带宽产品fT | 5.5 GHz, 8GHz | 5.5 GHz, 8GHz | 8GHz | - | 5.5 GHz |
| 最小工作温度 | - 55 C | - 55 C | - 55 C | - | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 125 C | + 125 C | + 125 C | - | + 125 C |
| 系列 | ISL73096 | ISL73096 | ISL73127 | - | ISL73128 |
| 封装 | Tray | Tray | Tray | - | Tray |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 20, 40 | 20, 40 | 40 | - | 20 |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W | 1.25 W | 1.25 W | - | 1.25 W |
| 工厂包装数量 | 100 | 100 | 100 | - | 100 |
单片机
测评中心专版
微控制器 MCU
嵌入式系统
实时操作系统RTOS
stm32/stm8