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IXFK48N50Q

Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC PACKAGE-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Littelfuse

厂商官网:http://www.littelfuse.com

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器件:IXFK48N50Q

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Littelfuse
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
compli
其他特性
AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)
2500 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (ID)
48 A
最大漏源导通电阻
0.1 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-264AA
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
192 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与IXFK48N50Q相近的元器件有:IXFK44N50Q、IXFX48N50Q、IXFX44N50Q。描述及对比如下:
型号 IXFK48N50Q IXFK44N50Q IXFX48N50Q IXFX44N50Q
描述 Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Littelfuse Littelfuse Littelfuse Littelfuse
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC, PLUS247, 3 PIN IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code compli compliant compliant compliant
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 2500 mJ 2500 mJ 2500 mJ 2500 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 48 A 44 A 48 A 44 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 0.12 Ω 0.1 Ω 0.12 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 192 A 176 A 192 A 176 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
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