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IXFN44N80

Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 800V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:IXYS

器件标准:  

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器件:IXFN44N80

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
IXYS
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数
4
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级(Eas)
4000 mJ
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
44 A
最大漏极电流 (ID)
44 A
最大漏源导通电阻
0.165 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PUFM-X4
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
700 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
176 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Nickel (Ni)
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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