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IXGA15N120B2

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:IXYS

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
IXYS
零件包装代码
D2PAK
包装说明
TO-263AA, 3 PIN
针数
4
Reach Compliance Code
not_compliant
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
30 A
集电极-发射极最大电压
1200 V
配置
SINGLE
JEDEC-95代码
TO-263AA
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
POWER CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
565 ns
标称接通时间 (ton)
43 ns
参数对比
与IXGA15N120B2相近的元器件有:IXGP15N120B2。描述及对比如下:
型号 IXGA15N120B2 IXGP15N120B2
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 IXYS IXYS
零件包装代码 D2PAK TO-220AB
包装说明 TO-263AA, 3 PIN TO-220AB, 3 PIN
针数 4 3
Reach Compliance Code not_compliant compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 30 A 30 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-263AA TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 565 ns 565 ns
标称接通时间 (ton) 43 ns 43 ns
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