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IXGH20N80

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 800V V(BR)CES, N-Channel

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:IXYS

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IXYS
Reach Compliance Code
unknown
最大集电极电流 (IC)
40 A
集电极-发射极最大电压
800 V
最大降落时间(tf)
2000 ns
门极发射器阈值电压最大值
5 V
门极-发射极最大电压
30 V
JESD-609代码
e0
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
150 W
最大上升时间(tr)
200 ns
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
文档预览
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