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IXTD120N25P-88

Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.525 X 0.281 INCH, DIE

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:IXYS

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
IXYS
零件包装代码
DIE
包装说明
0.525 X 0.281 INCH, DIE
Reach Compliance Code
compliant
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
250 V
最大漏源导通电阻
0.03 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量
1
工作模式
ENHANCEMENT MODE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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