IXTE25N20X4

Power Field-Effect Transistor, 4-Element, Metal-oxide Semiconductor FET

厂商名称：IXYS

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参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

IXYS

包装说明

Reach Compliance Code

unknown

最大漏极电流 (Abs) (ID)

25 A

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-609代码

元件数量

最高工作温度

150 °C

最大功率耗散 (Abs)

125 W

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

参数对比

与IXTE25N20X4相近的元器件有：。描述及对比如下：

型号	IXTE25N20X4
描述	Power Field-Effect Transistor, 4-Element, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IXYS
Reach Compliance Code	unknown
最大漏极电流 (Abs) (ID)	25 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0
元件数量	4
最高工作温度	150 °C
最大功率耗散 (Abs)	125 W
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)

热门器件

器件捷径:

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