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IXTY01N100

Power Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1000V, 80ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:IXYS

器件标准:

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器件:IXTY01N100

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
IXYS
零件包装代码
TO-252AA
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数
4
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
1000 V
最大漏极电流 (ID)
0.1 A
最大漏源导通电阻
80 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-252AA
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
0.4 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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器件捷径:
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