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JANTX2N5665

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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供应商：

器件：JANTX2N5665

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Microsemi
零件包装代码
TO-66
包装说明
TO-66, 2 PIN
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
5 A
集电极-发射极最大电压
300 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
25
JEDEC-95代码
TO-66
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
认证状态
Qualified
参考标准
MIL-19500/455E
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/455
DEVICES
LEVELS
2N5664
2N5665
2N5666
2N5666S
2N5666U3
2N5667
2N5667S
JAN
JANTX
JANTV
JANS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Base Current
Collector Current
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
2N5664
2N5665
Total
1/
Power Dissipation
@ T
A
= +25°C
@ T
C
= +100°C
P
T
T
J
, T
stg
2.5
30
2N5664
2N5666, S
200
250
6.0
1.0
5.0
2N5666, S
2N5667, S
1.2
15
-65 to +200
2N5666U3
1.5
35
W
°C
2N5665
2N5667, S
300
400
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
TO-66 (TO-213AA)
2N5664, 2N5665
Operating & Storage Junction
Temperature Range
TO-5
2N5666, 2N5667
Note:
1) Consult 19500/455 for thermal derating curves.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10mAdc
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
E
= 10μAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 200Vdc
2N5664, 2N5666
V
CE
= 300Vdc
2N5665, 2N5667
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 200Vdc
V
CB
= 250Vdc
V
CB
= 300Vdc
V
CB
= 400Vdc
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
I
CBO
V
(BR)CER
250
400
6.0
0.2
0.2
0.1
1.0
0.1
1.0
Vdc
Symbol
Min.
Max.
Unit
TO-39 (TO-205AD)
2N5666S, 2N5667S
V
(BR)EBO
Vdc
I
CES
μAdc
μAdc
mAdc
μAdc
mAdc
U-3
2N5666U3
T4-LDS-0062 Rev. 1 (081095)
Page 1 of 3
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/455
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)
Parameters / Test Conditions
ON CHARACTERTICS
Forward-Current Transfer Ratio
I
C
= 0.5Adc, V
CE
= 2.0Vdc
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
All Types
40
25
40
25
15
10
5.0
120
75
Symbol
Min.
Max.
Unit
I
C
= 1.0Adc, V
CE
= 5.0Vdc
h
FE
I
C
= 3.0Adc, V
CE
= 5.0Vdc
I
C
= 5.0Adc, V
CE
= 5.0Vdc
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 3.0Adc, I
B
= 0.3Adc
I
C
= 3.0Adc, I
B
= 0.6Adc
I
C
= 5.0Adc, I
B
= 1.0Adc
Base-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 3.0Adc, I
B
= 0.3Adc
I
C
= 3.0Adc, I
B
= 0.6Adc
I
C
= 5.0Adc, I
B
= 1.0Adc
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
All Types
V
CE(sat)
0.4
0.4
1.0
Vdc
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
All Types
V
BE(sat)
1.2
1.2
1.5
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Forward Current Transfer Ratio
I
C
= 0.5Adc, V
CE
= 5.0Vdc, f = 10MHz
Output Capacitance
V
CB
= 10Vdc, I
E
= 0, 100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
C
obo
120
pF
|h
fe
|
2.0
7.0
SWITCHING CHARACTERISTICS
Parameters / Test Conditions
Turn-On Time
V
CC
= 100Vdc; I
C
= 1.0Adc; I
B1
= 30mAdc
Turn-Off Time
V
CC
= 100Vdc; I
C
= 1.0Adc; I
B1
= -I
B2
= 50mAdc
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
t
off
1.5
2.0
μs
Symbol
t
on
Min.
Max.
0.25
Unit
μs
T4-LDS-0062 Rev. 1 (081095)
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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
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NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/455
SAFE OPERATING AREA
DC Tests
T
C
= 100°C, 1 Cycle, t
≥
1.0s, t
r
+ t
f
= 10μs
Test 1
V
CE
= 6.0Vdc, I
C
= 5.0Adc
V
CE
= 3.0Vdc, I
C
= 5.0Adc
Test 2
V
CE
= 32Vdc, I
C
= 0.75Adc
V
CE
= 40Vdc, I
C
= 0.75Adc
V
CE
= 29Vdc, I
C
= 0.4Adc
V
CE
= 37.5Vdc, I
C
= 0.4Adc
Test 3
V
CE
= 200Vdc, I
C
= 29mAdc
V
CE
= 200Vdc, I
C
= 19mAdc
V
CE
= 300Vdc, I
C
= 21mAdc
V
CE
= 300Vdc, I
C
= 14mAdc
2N5664
2N5666
2N5665
2N5667
2N5664
2N5665
2N5666
2N5667
2N5664 , 2N5665
2N5666, 2N5667
(2) Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle
≤
2.0%
T4-LDS-0062 Rev. 1 (081095)
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参数对比
与JANTX2N5665相近的元器件有：Jantxv2N5664、Jantxv2N5667S、Jantxv2N5667、Jan2N5665、Jantxv2N5666S、Jan2N5667、Jan2N5667S、Jantxv2N5666。描述及对比如下：
型号 JANTX2N5665 Jantxv2N5664 Jantxv2N5667S Jantxv2N5667 Jan2N5665 Jantxv2N5666S Jan2N5667 Jan2N5667S Jantxv2N5666
描述 Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 2 Pin, TO-5, 2 PIN Bipolar Transistors - BJT Power BJT
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-66 TO-66 TO-5 TO-5 TO-66 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5
包装说明 TO-66, 2 PIN TO-66, 2 PIN TO-5, 2 PIN TO-5, 2 PIN TO-66, 2 PIN TO-5, 2 PIN TO-5, 2 PIN TO-5, 2 PIN TO-5, 2 PIN
针数 2 2 2 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant unknown unknown unknown unknown unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 300 V 200 V 300 V 300 V 300 V 200 V 300 V 300 V 200 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 40 25 25 25 40 25 25 40
JEDEC-95代码 TO-66 TO-66 TO-5 TO-5 TO-66 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Not Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/455E MIL-19500/455E MIL-19500/455E MIL-19500/455E MIL-19500/455E MIL-19500/455E MIL-19500/455E MIL-19500/455E MIL-19500/455E
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Microsemi Microsemi - Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi - Microsemi
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 - - 1 1 - -
最大功率耗散 (Abs) - 30 W 15 W 15 W - 15 W - - 15 W
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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