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Jantxv2N5582

Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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Jantxv2N5582 在线购买

供应商：

器件：Jantxv2N5582

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
BCY
包装说明
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
0.8 A
集电极-发射极最大电压
50 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
75
JEDEC-95代码
TO-206AB
JESD-30 代码
O-MBCY-W3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
认证状态
Qualified
参考标准
MIL-19500/423E
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间（toff）
300 ns
最大开启时间（吨）
35 ns
Base Number Matches
1
文档预览
TECHNICAL DATA
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/423
Devices
2N5581
2N5582
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
,
T
stg
Value
50
75
6.0
800
0.5
2.0
-55 to +200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
W
0
C
@ T
A
= 25
0
C
(1)
@ T
C
= 25
0
C
(2)
Operating & Storage Junction Temperature Range
1) Derate linearly 2.86 mW/
0
C for T
A
> 25
0
C
2) Derate linearly 11.43 mW/
0
C for T
C
> 25
0
C
TO-46*
(TO-206AB)
*See appendix A for
package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
V
(BR)
CEO
I
CBO
Min.
50
10
10
10
10
Max.
Unit
Vdc
ηAdc
µAdc
ηAdc
µAdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10 mAdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 60 Vdc
V
CB
= 75 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 4.0Vdc
V
EB
= 6.0Vdc
I
EBO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
Page 1 of 2
2N5581, 2N5582 JAN SERIES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
ON CHARACTERISTICS
(3)
Forward-Current Transfer Ratio
I
C
= 0.1 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
=1.0 m Adc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 150 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 0.1 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
=1.0 m Adc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 150 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 150 mAdc, I
B
= 15 mAdc
I
C
= 500 mAdc, I
B
= 50 mAdc
Base-Emitter Voltage
I
C
= 150 mAdc, I
B
= 15 mAdc
I
C
= 500 mAdc, I
B
= 50 mAdc
2N5581
h
FE
30
35
40
40
20
50
75
100
100
30
120
2N5582
h
FE
300
V
CE(sat)
0.3
1.0
0.6
1.2
2.0
Vdc
V
BE(sat)
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Forward Current Transfer Ratio
I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
Forward Current Transfer Ratio
I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 20 Vdc, f = 100 MHz
Output Capacitance
V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, 100 kHz
≤
f
≤
1.0 MHz
Input Capacitance
V
EB
= 0.5 Vdc, I
C
= 0, 100 kHz
≤
f
≤
1.0 MHz
2N5581
2N5582
h
fe
30
50
2.5
8.0
25
pF
pF
h
fe
C
obo
C
ibo
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Time
V
CC
= 30 Vdc; I
C
= 150 mAdc; I
B1
=
15 mAdc
Turn-Off Time
V
CC
= 30 Vdc; I
C
= 150 mAdc; I
B1
=
I
B2
=
15 mAdc
(3) Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle
≤
2.0%.
t
on
35
300
ηs
ηs
t
off
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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参数对比
与Jantxv2N5582相近的元器件有：Jantx2N5582、Jantxv2N5581、PMF1/2-5972-QB25、RG1SB-2084-CT101W。描述及对比如下：
型号 Jantxv2N5582 Jantx2N5582 Jantxv2N5581 PMF1/2-5972-QB25 RG1SB-2084-CT101W
描述 Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AB, TO-46, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AB, TO-46, 3 PIN Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 59700ohm, 400V, 0.02% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 2080000ohm, 1500V, 0.25% +/-Tol, 100ppm/Cel,
Reach Compliance Code compliant unknown unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 3 3 3 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 150 °C 155 °C
封装形状 ROUND ROUND ROUND TUBULAR PACKAGE CYLINDRICAL PACKAGE
是否无铅 含铅 含铅 含铅 - -
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 符合
零件包装代码 BCY BCY BCY - -
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 TO-46, 3 PIN TO-46, 3 PIN AXIAL LEADED -
针数 3 3 3 - -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR - -
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A - -
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V - -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - -
最小直流电流增益 (hFE) 75 75 35 - -
JEDEC-95代码 TO-206AB TO-206AB TO-206AB - -
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 - -
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e3
元件数量 1 1 1 - -
封装主体材料 METAL METAL METAL - -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL - Axial
极性/信道类型 NPN NPN NPN - -
认证状态 Qualified Not Qualified Not Qualified - -
参考标准 MIL-19500/423E MIL-19500/423E MIL-19500/423E - -
表面贴装 NO NO NO NO -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD - Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE WIRE - -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM - -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING - -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON - -
最大关闭时间（toff） 300 ns 300 ns 300 ns - -
最大开启时间（吨） 35 ns 35 ns 35 ns - -
Objectid - 1916729443 1916729446 1684878215 868837409
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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