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K6R4016V1C-JP12T

Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44

器件类别：存储存储

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

包装说明

SOJ, SOJ44,.44

Reach Compliance Code

unknown

最长访问时间

12 ns

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PDSO-J44

JESD-609代码

e0

内存密度

4194304 bit

内存集成电路类型

STANDARD SRAM

内存宽度

16

端子数量

44

字数

262144 words

字数代码

256000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

256KX16

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

SOJ

封装等效代码

SOJ44,.44

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

电源

3.3 V

认证状态

Not Qualified

最大待机电流

0.0007 A

最小待机电流

2 V

最大压摆率

0.165 mA

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

J BEND

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

Base Number Matches

1

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