K8F5615EBM-DE1F0

Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88

器件类别：存储存储

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

器件标准： Rohs认证

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器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

SAMSUNG(三星)

零件包装代码

BGA

包装说明

8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88

针数

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

3A991.B.1.A

最长访问时间

100 ns

其他特性

SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE

启动块

BOTTOM

命令用户界面

YES

通用闪存接口

YES

数据轮询

YES

JESD-30 代码

R-PBGA-B88

JESD-609代码

长度

11 mm

内存密度

268435456 bit

内存集成电路类型

FLASH

内存宽度

湿度敏感等级

功能数量

部门数/规模

4,255

端子数量

字数

16777216 words

字数代码

16000000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-25 °C

组织

16MX16

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TFBGA

封装等效代码

BGA88,8X12,32

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

260

电源

1.8 V

编程电压

1.8 V

认证状态

Not Qualified

就绪/忙碌

YES

座面最大高度

1.2 mm

部门规模

16K,64K

最大待机电流

0.00002 A

最大压摆率

0.055 mA

最大供电电压 (Vsup)

1.95 V

最小供电电压 (Vsup)

1.7 V

标称供电电压 (Vsup)

1.8 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

OTHER

端子面层

TIN SILVER COPPER

端子形式

BALL

端子节距

0.8 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

切换位

YES

类型

NOR TYPE

宽度

8 mm