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KBU8G

8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
8 A, 400 V, 硅, 桥式整流二极管

器件类别：半导体分立半导体

厂商名称：BILIN

厂商官网：http://www.galaxycn.com/

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参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

端子数量

元件数量

最大平均输入电流

8 A

加工封装描述

CASE KBU, 4 PIN

无铅

Yes

欧盟RoHS规范

Yes

状态

DISCONTINUED

包装形状

矩形的

包装尺寸

凸缘安装

端子形式

线

端子涂层

MATTE 锡

端子位置

单一的

包装材料

塑料/环氧树脂

结构

桥, 4 ELEMENTS

壳体连接

隔离

二极管元件材料

硅

最大功耗极限

6.9 W

二极管类型

桥式整流二极管

相数

最大重复峰值反向电压

400 V

最大非重复峰值正向电流

300 A

参数对比

与KBU8G相近的元器件有：KBU8B、KBU8A、KBU8D、KBU8M、KBU8K、KBU8J。描述及对比如下：

型号	KBU8G	KBU8B	KBU8A	KBU8D	KBU8M	KBU8K	KBU8J
描述	8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	5.6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	DIODE BRIDGE 800V 8A KBU	BRIDGE RECTIFIER DIODE

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00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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