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KM6264BS-7

Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP28,.3
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
70 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
长度
34.415 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最大待机电流
0.002 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
参数对比
与KM6264BS-7相近的元器件有:KM6264B-12、KM6264BS-12、KM6264BG-12、KM6264B-10、KM6264BG-7、KM6264BS-10、KM6264B-7。描述及对比如下:
型号 KM6264BS-7 KM6264B-12 KM6264BS-12 KM6264BG-12 KM6264B-10 KM6264BG-7 KM6264BS-10 KM6264B-7
描述 Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOP-28 Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOP-28 Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 DIP DIP DIP SOIC DIP SOIC DIP DIP
包装说明 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP, DIP28,.3 SOP, SOP28,.5 DIP, SOP, SOP28,.5 DIP, DIP28,.3 DIP,
针数 28 28 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 120 ns 120 ns 120 ns 100 ns 70 ns 100 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28
长度 34.415 mm 36.325 mm 34.415 mm 18.29 mm 36.325 mm 18.29 mm 34.415 mm 36.325 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP SOP DIP SOP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 3 mm 5.08 mm 3 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES NO YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 15.24 mm 7.62 mm 8.38 mm 15.24 mm 8.38 mm 7.62 mm 15.24 mm
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 - 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合 不符合 -
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON - COMMON COMMON -
JESD-609代码 e0 - e0 e0 - e0 e0 -
封装等效代码 DIP28,.3 - DIP28,.3 SOP28,.5 - SOP28,.5 DIP28,.3 -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 5 V - 5 V 5 V - 5 V 5 V -
最大待机电流 0.002 A - 0.002 A 0.001 A - 0.001 A 0.002 A -
最小待机电流 4.5 V - 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V -
最大压摆率 0.055 mA - 0.045 mA 0.045 mA - 0.045 mA 0.045 mA -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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