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KM93C46VGDI

EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP8,.25
针数
8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)
0.25 MHz
数据保留时间-最小值
10
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e0
长度
5.02 mm
内存密度
1024 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
16
功能数量
1
端子数量
8
字数
64 words
字数代码
64
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64X16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3.3/5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.95 mm
串行总线类型
MICROWIRE
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
3.94 mm
最长写入周期时间 (tWC)
15 ms
写保护
SOFTWARE
Base Number Matches
1
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参数对比
与KM93C46VGDI相近的元器件有:KM93C46VGI。描述及对比如下:
型号 KM93C46VGDI KM93C46VGI
描述 EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
最大时钟频率 (fCLK) 0.25 MHz 0.25 MHz
数据保留时间-最小值 10 10
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0
长度 5.02 mm 5.02 mm
内存密度 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 64 words 64 words
字数代码 64 64
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 64X16 64X16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3/5 V 3.3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.95 mm 1.95 mm
串行总线类型 MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.94 mm 3.94 mm
最长写入周期时间 (tWC) 15 ms 15 ms
写保护 SOFTWARE SOFTWARE
Base Number Matches 1 1
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