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1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
厂商名称：SAMSUNG(三星)
厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档| 型号 | KMM5361205C2W | KMM5361205C2WG |
|---|---|---|
| 描述 | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| 零件包装代码 | SIMM | SIMM |
| 针数 | 72 | 72 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 60 ns | 60 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N72 | R-XSMA-N72 |
| 内存密度 | 37748736 bi | 37748736 bi |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 36 | 36 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 72 | 72 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX36 | 1MX36 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |