型号

型号
关键词

首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

KSD5064

Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档

参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

SAMSUNG(三星)

零件包装代码

TO-3P

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

针数

Reach Compliance Code

unknown

其他特性

HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT

最大集电极电流 (IC)

2.5 A

集电极-发射极最大电压

800 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

元件数量

端子数量

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

极性/信道类型

NPN

最大功率耗散 (Abs)

80 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

3 MHz

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

需要登录后才可以下载。

登录取消