首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

KST1623L3

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
SOT-23
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
集电极-发射极最大电压
40 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
60
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.35 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
200 MHz
文档预览
查看更多>
参数对比
与KST1623L3相近的元器件有:KST1623L7、KST1623L4、KST1623L6、KST1623L5。描述及对比如下:
型号 KST1623L3 KST1623L7 KST1623L4 KST1623L6 KST1623L5
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 300 90 200 135
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
【国产FPGA高云GW1N-4系列开发板测评】动态数码管显示之秒表
本次就进行数码管动态显示练习 一、目标 利用三个拨码开关和四个数...
怀揣少年梦 国产芯片交流
【DigiKey“智造万物,快乐不停”创意大赛】-电流转换电路仿真
此章用于说明2V信号转0.2A输出功能电路的说明。 模拟电路的仿真软件很多,像Pspi...
lansebuluo DigiKey得捷技术专区
谈内存管理
本帖最后由 jorya_txj 于 2015-11-24 13:23 编辑 内存管理是一个很大...
jorya_txj 嵌入式系统
MOS管栅极电阻在工业电源中的作用
MOS管栅极电阻在工业电源中的作用 MOS管栅极电阻在工业电源中的作用-电子工程世界 htt...
振动试验仪器 开关电源学习小组
基于51单片机的8*8*8光立方程序及硬件原理
STC12F2K60S2的光立方源程序及焊接方法 基于51单片机的8*8*8光立方程序及硬件原理 ...
FLY--小强 51单片机
VISHAY-系列场效应管深圳信德意电子有限公司
⊙ 全系列场效应管,MOSFET: SI1012R SI6469DQ-T1-E3 SI4488DY...
gl2856 分立器件
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
需要登录后才可以下载。
登录取消