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KST24MTF

transistor npn 30v 100ma sot-23

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Fairchild

厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/

器件标准:

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器件:KST24MTF

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
基于收集器的最大容量
0.36 pF
集电极-发射极最大电压
30 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
最高频带
VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.35 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
620 MHz
Base Number Matches
1
参数对比
与KST24MTF相近的元器件有:。描述及对比如下:
型号 KST24MTF
描述 transistor npn 30v 100ma sot-23
是否Rohs认证 符合
Reach Compliance Code unknow
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A
基于收集器的最大容量 0.36 pF
集电极-发射极最大电压 30 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 620 MHz
Base Number Matches 1
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