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KST5088

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
SOT-23
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)
0.05 A
集电极-发射极最大电压
30 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
300
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.35 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
50 MHz
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参数对比
与KST5088相近的元器件有:KST5089。描述及对比如下:
型号 KST5088 KST5089
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 30 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 300 400
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz
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