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KTC3198O

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：KEC

厂商官网：http://www.keccorp.com/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
KEC
零件包装代码
TO-92
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)
0.15 A
集电极-发射极最大电压
50 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
70
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.625 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
80 MHz
文档预览
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
・Excellent
h
FE
Linearity
: h
FE
(2)=100(Typ.) at V
CE
=6V, I
C
=150mA
: h
FE
(I
C
=0.1mA)/h
FE
(I
C
=2mA)=0.95(Typ.).
・Low
Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz.
・Complementary
to KTA1266.
KTC3198
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
*Cu Lead-Frame : 625mW
Fe Lead-Frame : 400mW
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
*P
C
400
T
j
T
stg
150
-55½150
℃
℃
RATING
60
50
5
150
50
625
mW
UNIT
V
V
V
mA
mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
h
FE
(2)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Base Intrinsic Resistance
Noise Figure
Note : h
FE
(1) Classification O:70½140,
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
rbb’
NF
Y:120½240,
V
CE
=6V, I
C
=150mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
V
CE
=10V, I
C
=1mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CB
=10V, I
E
=1mA, f=30MHz
V
CE
=6V, I
C
=0.1mA, Rg=10kΩ, f=1kHz
GR:200½400, BL:300~700
25
-
-
80
-
-
-
100
0.1
-
-
2.0
50
1.0
-
0.25
1.0
-
3.5
-
10
V
V
MHz
pF
Ω
dB
SYMBOL
I
CBO
I
EBO
h
FE
(1) (Note)
TEST CONDITION
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=6V, I
C
=2mA
MIN.
-
-
70
TYP.
-
-
-
MAX.
0.1
0.1
700
UNIT
μ
A
μ
A
2013. 7. 08
Revision No : 3
1/3
KTC3198
2013. 7. 08
Revision No : 3
2/3
KTC3198
2013. 7. 08
Revision No : 3
3/3
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参数对比
与KTC3198O相近的元器件有：KTC3198BL、KTC3198-Y-AT/P、KTC3198-GR-AT/P、KTC3198Y、KTC3198GR。描述及对比如下：
型号 KTC3198O KTC3198BL KTC3198-Y-AT/P KTC3198-GR-AT/P KTC3198Y KTC3198GR
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN 额定功率：625mW 集电极电流Ic：150mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=120~240 额定功率：625mW 集电极电流Ic：150mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~400 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
厂商名称 KEC KEC - - KEC KEC
零件包装代码 TO-92 TO-92 - - TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 TO-92, 3 PIN - - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3 - - 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown - - unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 - - EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE - - LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A - - 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V - - 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE - - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 70 300 - - 120 200
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 - - TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 - - O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 - - 1 1
端子数量 3 3 - - 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C - - 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND - - ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL - - CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN - - NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W - - 0.625 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO - - NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM - - BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 80 MHz - - 80 MHz 80 MHz
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S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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