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KTD1863GR

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92L, 3 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：KEC

厂商官网：http://www.keccorp.com/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
KEC
零件包装代码
TO-92
包装说明
CYLINDRICAL, R-PBCY-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
1 A
集电极-发射极最大电压
80 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
200
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
R-PBCY-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
1 W
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
100 MHz
文档预览
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
FEATURES
High Breakdown Voltage and High Current
: V
CEO
=80V, I
C
=1A.
Low V
CE(sat)
Complementary to KTB1241.
C
P
DEPTH:0.2
B
KTD1863
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
D
A
S
Q
K
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
MILLIMETERS
7.20 MAX
5.20 MAX
0.60 MAX
2.50 MAX
1.15 MAX
1.27
1.70 MAX
0.55 MAX
_
14.00 + 0.50
0.35 MIN
_
0.75 + 0.10
4
J
G
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Emitter Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
stg
RATING
100
80
5
1
-1
1
150
-55 150
UNIT
V
V
V
A
A
W
O
F
H
M
1
N
E
F
H
M
3
N
L
H
R
2
H
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
25
1.25
Φ1.50
0.10 MAX
_
12.50 + 0.50
1.00
TO-92L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Collector Cut-off Current
Emitter-Cut-off Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Note : h
FE
Classification
O:70 140,
Y:120
SYMBOL
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
(Note)
V
CE(sat)
f
T
C
ob
240,
TEST CONDITION
V
CB
=80V, I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
V
CE
=3V, I
C
=500mA
I
C
=500mA, I
B
=20mA
V
CE
=10V, I
C
=50mA, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
GR:200
400
MIN.
-
-
80
70
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
100
20
MAX.
1
1
-
400
0.4
-
-
V
MHz
pF
UNIT
A
A
V
1998. 8. 21
Revision No : 1
D
1/2
KTD1863
I
C
- V
BE
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
1000
100
10
1
0.1
Ta=25 C
V
CE
=5V
I
C
- V
CE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1mA
I
B
=0mA
Ta=25 C
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
BASE-EMITTER VOLTAGE V
BE
(V)
0
2
4
6
8
10
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
h
FE
- I
C
1000
DC CURRENT GAIN h
FE
Ta=25 C
V
CE(sat)
- I
C
Ta=25 C
COLLECTOR SATURATION
VOLTAGE V
CE(sat)
(V)
V
CE
=3V
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=10/1
100
V
CE
=1V
0
0
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
f
T
- I
E
TRANSITION FREQUENCY f
T
(MHz)
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE C
ob
(pF)
Ta=25 C
V
CE
=-5V
C
ob
- V
CB
1000
Ta=25 C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
100
10
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
EMITTER CURRENT I
C
(mA)
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
SAFE OPERATION AREA
10
5
2
I
C
Max. (Pulse)
1
DC
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.1 0.2 0.5
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
*Single nonrepetitive pulse
Ta=25 C
Pw
=1
0m
Pw
s
=10
0m
s
COLLECTOR-BASE VOLTAGE V
CB
(V)
1
2
5
10
20
50
100
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
1998. 8. 21
Revision No : 1
2/2
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参数对比
与KTD1863GR相近的元器件有：KTD1863Y、KTD1863O。描述及对比如下：
型号 KTD1863GR KTD1863Y KTD1863O
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92L, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92L, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92L, 3 PIN
厂商名称 KEC KEC KEC
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 CYLINDRICAL, R-PBCY-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 200 120 70
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 R-PBCY-T3 R-PBCY-T3 R-PBCY-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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