介绍了采用商用 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二极管的 100KHz、10KW 交错式硬开关升压 DC/DC 转换器的参考设计和性能。 SiC 功率半导体的超低开关损耗使开关频率比硅实现显着提高 说明 ...
[查看详情]使用 LLC 谐振半桥转换器提供 12V 和 216W 输出的电源 说明 Power Supply Using LLC Resonant Half-Br...
[查看详情]CRD-50DD12N,基于 50kW DC/DC 升压转换器的 SiC MOSFET,具有 4 相交错,Vin = 400-600V,Vout = 800V 说明 ...
[查看详情]CRD-60DD12N、60 kW 交错式升压转换器演示板基于 1200 V、75 m 欧姆 (C3M) SiC MOSFET。该演示板由四个 15 kW 交错升压级组成,每个级均使用 CGD15SG00D2 隔离栅极驱动器板 说明 ...
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