M48Z128Y,M48Z128Y pdf中文资料,M48Z128Y引脚图,M48Z128Y电路-Datasheet-电子工程世界

文档预览

M48Z128

M48Z128Y

5.0 V, 1 Mbit (128 Kbit x 8) ZEROPOWER

SRAM

Not recommended for new design

Features

■

Integrated, ultra low power SRAM, power-fail

control circuit, and battery

Conventional SRAM operation; unlimited

WRITE cycles

10 years of data retention in the absence of

power

Battery internally isolated until power is first

applied

Automatic power-fail chip deselect and WRITE

protection

WRITE protect voltages:

PFD

= power-fail deselect voltage)

– M48Z128: V

= 4.75 to 5.5 V;

4.5 V

≤

PFD

≤

4.75 V

– M48Z128Y: V

= 4.5 to 5.5 V;

4.2 V

≤

PFD

≤

4.5 V

■

Pin and function compatible with JEDEC

standard 128 K x 8 SRAMs

RoHS compliant

– Lead-free second level interconnect

PMDIP32 module

September 2011

Doc ID 2426 Rev 6

1/20

www.st.com

This is information on a product still in production but not recommended for new designs.

Contents

M48Z128, M48Z128Y

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Operating modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

2.1

2.2

2.3

2.4

READ mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

WRITE mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Data retention mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

noise and negative going transients . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Part numbering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Environmental information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2/20

Doc ID 2426 Rev 6

M48Z128, M48Z128Y

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Operating modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

READ mode AC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

WRITE mode AC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

DC characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Power down/up AC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Power down/up trip points DC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

PMDIP32 –

32-pin

plastic DIP module, package mechanical data. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Doc ID 2426 Rev 6

3/20

List of figures

M48Z128, M48Z128Y

List of figures

Figure 1.

Figure 2.

Figure

Figure 4.

Figure 5.

Figure 6.

Figure 7.

Figure 8.

Figure 9.

Figure 10.

Figure 11.

Figure 12.

Logic diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

DIP connections . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Block diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Chip enable or output enable controlled, READ mode AC waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Address controlled, READ mode AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

WRITE enable controlled, WRITE AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Chip enable controlled, WRITE AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Supply voltage protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

AC measurement load circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Power down/up mode AC waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

PMDIP32 –

32-pin

plastic DIP module, package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Recycling symbols . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

4/20

Doc ID 2426 Rev 6

M48Z128, M48Z128Y

Description

The M48Z128/Y ZEROPOWER

RAM is a 128 Kbit x 8 non-volatile static RAM organized

as131,072 words by 8 bits. The device combines an internal lithium battery, a CMOS SRAM

and a control circuit in a plastic,

32-pin

DIP module to provide a highly integrated battery-

backed memory solution.

The M48Z128/Y is a non-volatile pin and function equivalent to any JEDEC standard

128 K x 8 SRAM. It also easily fits into many ROM, EPROM, and EEPROM sockets,

providing the non-volatility of PROMs without any requirement for special WRITE timing or

limitations on the number of WRITEs that can be performed. The

32-pin,

600 mil DIP

module houses the M48Z128/Y silicon with a long-life lithium button cell in a single package.

Figure 1.

Logic diagram

VCC

A0-A16

M48Z128

M48Z128Y

Table 1.

DQ0-DQ7

VSS

AI01194

Signal names

A0-A16

Address inputs

Data inputs / outputs

Chip enable input

Output enable input

WRITE enable input

Supply voltage

Ground

Not connected internally

DQ0-DQ7

Doc ID 2426 Rev 6

5/20

参数对比

与M48Z128Y相近的元器件有：M48Z128、M48Z128V、M48Z128V-70PM1、M48Z128-120PM1、M48Z128-85PM1、M48Z128_10、M48Z128V-120PM1、M48Z128Y-120PM1、M48Z128V-85PM1。描述及对比如下：

型号	M48Z128Y	M48Z128	M48Z128V	M48Z128V-70PM1	M48Z128-120PM1	M48Z128-85PM1	M48Z128_10	M48Z128V-120PM1	M48Z128Y-120PM1	M48Z128V-85PM1
描述	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32	32	32
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
组织	128K X 8	128K X 8	128K X 8	128KX8	128KX8	128KX8	128K X 8	128KX8	128KX8	128KX8
是否Rohs认证	-	-	-	符合	不符合	不符合	-	符合	不符合	符合
厂商名称	-	-	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	-	-	-	MODULE	MODULE	MODULE	-	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	-	-	-	PMDIP-32	PMDIP-32	PMDIP-32	-	PMDIP-32	PMDIP-32	PMDIP-32
针数	-	-	-	32	32	32	-	32	32	32
Reach Compliance Code	-	-	-	compli	_compli	_compli	-	compli	_compli	compli
ECCN代码	-	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
Is Samacsys	-	-	-	N	N	N	-	N	N	N
最长访问时间	-	-	-	70 ns	120 ns	85 ns	-	120 ns	120 ns	85 ns
JESD-30 代码	-	-	-	R-PDMA-P32	R-PDMA-P32	R-PDMA-P32	-	R-PDMA-P32	R-PDMA-P32	R-PDMA-P32
JESD-609代码	-	-	-	e3	e0	e0	-	e3	e0	e3
长度	-	-	-	42.8 mm	42.8 mm	42.8 mm	-	42.8 mm	42.8 mm	42.8 mm
内存密度	-	-	-	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi	-	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi
内存集成电路类型	-	-	-	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	-	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE
字数	-	-	-	131072 words	131072 words	131072 words	-	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	-	-	-	128000	128000	128000	-	128000	128000	128000
工作模式	-	-	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	-	-	-	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C
封装主体材料	-	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	-	-	-	DIP	DIP	DIP	-	DIP	DIP	DIP
封装形状	-	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	-	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	-	-	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	-	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	-	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	-	-	-	9.52 mm	9.52 mm	9.52 mm	-	9.52 mm	9.52 mm	9.52 mm
最大供电电压 (Vsup)	-	-	-	3.6 V	5.5 V	5.5 V	-	3.6 V	5.5 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	-	-	-	3 V	4.75 V	4.75 V	-	3 V	4.5 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	-	-	-	3.3 V	5 V	5 V	-	3.3 V	5 V	3.3 V
表面贴装	-	-	-	NO	NO	NO	-	NO	NO	NO
技术	-	-	-	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	-	-	-	MATTE TIN	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	MATTE TIN	Tin/Lead (Sn/Pb)	MATTE TIN
端子节距	-	-	-	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	-	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	-	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	-	-	-	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	-	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm
Base Number Matches	-	-	-	1	1	1	-	1	1	1

用Beaglebone Black的SPI: 帖子来源： http://blog.csdn.net/wyt2013/article/details...; 刘东丽 DSP 与 ARM 处理器

晒货+集了三年的板子: 看到论坛的大佬都在晒自己的板子，我也来下。我是个菜鸟，没有大佬们藏品多，只能简单的晒一下。下面...; lehuijie 测评中心专版

fpga不做时序约束会不会出现时序违规: 请教各位，如果我没有做任何的时序约束，编译通过了，是不是意味着我的寄存器没有出现时序违规，即都满足...; 南盗 FPGA/CPLD

一周好资源：2016.12.26-2017.1.1: 编程语言 C in a Nutshell, 2nd Edition.pdf fanuc pm...; okhxyyo 下载中心专版

怎样程序烧写到指定的flash地址里？: 在项目中遇到一个问题：需要将一个变量放到一个指定的flash地址里，即flash的绝对地址中。我...; mukden stm32/stm8

汽车控制单元和分立电子元件的重要性: 现在的汽车设计工程师正不断致力于设计出重量和能耗更低，同时安全性和舒适性更高的汽车。工程师们越来越排...; 程序天使汽车电子

IEA发布能源技术研发与示范公共经费投入分析报告

中国储能网讯：近日，国际能源署（IEA）发布最新《能源研发与示范经费投入分析》报告，对IEA成员国能源技术研发与示范（RD&D）公共经费投入情况进行了分析。具体内容如下： 1、2020年IEA成员国政府能源技术RD&D公共投入总额达到231亿美元 2020年，IEA成员国能源技术RD&D公共投入较2019年增加了6%，达到231亿美元（图1）。这是自2017年以来连续第四年...[详细]
因特尔研发的首款神经网络芯片将于明年量产

英特尔看到 Nvidia 在 AI 领域大放异彩，也想要用手上芯片弄机器学习，用一堆 Atom 芯片组成 Xeon Phi 架构，但是看来效果没想像中好。英特尔在 AI 开发者大会上发布第一款机器学习芯片 Nervana NNP-L1000，打算用并购的技术与 Nvidia 一较高下。对于英特尔来说积极在 AI 布局相当重要，而从先前并购取得的技术当中，就属 Nervana 的神经网络芯片...[详细]
阿里朱顺炎：机器智能更有温度

阿里巴巴创新业务事业群总裁朱顺炎在云栖大会上提到机器智能进化史时指出，机器智能从功能性服务进化到满足人类的情感诉求。机器智能更有温度，是这个时代最大的创新。同时他认为，以天猫精灵为代表的机器智能设备将成为家庭中的一员，带来更有温度的创新。 “机器智能的发展，就是从功能性需求向人类情感需求满足的进化。”朱顺炎认为，机器智能时代已经到来，相关产品在家庭场景中得到全面应用。但在家庭小型化趋势下，人们在...[详细]
虚拟按键+正面指纹识别? HTC A9再曝光

　随着HTC 9月29日的发布会临近，关于HTC One A9的消息越来越多。近日，一款黑色面板的HTC One A9谍照也被传了出来，并且屏幕上还显示了不黑配置信息。黑色HTC A9（图片引自gsmarena）　　从照片中我们可以看到肝癌及依旧使用了虚拟按键，机身下方印有HTC的标志，标志下方的是区域很可能是指纹识别传感器。屏幕上的信息显示该机会用以一块FHD级的5英寸A...[详细]
激光测量使闭环无心磨削加工成为可能

如果一个工艺过程可以在不工作的时候自行调整，那么中断生产而进行手动调节的方式就会显得没有必要了。Freedom Technologies公司的Grindline激光测量系统使闭环无心磨削工艺过程成为可能。常规的零件测量不会提升工件的价值，但是它确实提供了一种追踪加工精确度的方式，这使得设备可以进行调整以确保被加工的零件保持在公差范围内。如果存在一个工艺过程可以在不工作的时候自行调整，那么中断生...[详细]
影响压力传感器性能的误差

在分析压力传感器的总误差时，首先要考虑每一个误差的来源，分析导致这些误差的因素，然后想办法减少这些误差，提高传感器总的性能。本文列举一下影响压力传感器性能的误差来源有哪些？当计算—压力传感器的总误差时，应使用下列定义的误差。为决定你已选择压力传感器特定误差的程度，参见在这目录中该传感器的规格说明。注：在特定用户应用中，有些标称的指标可以减少或消除的，例如，如果一压力传感器用在规定温度...[详细]
全新液晶面板或在明年集中量产

京东方董事长王东升认为， AMOLED新产品或将在2014年集中量产，在2015年后大规模上市　　产业发展通常伴随着争论和困惑。当TFT-LCD成为显示领域绝对主流，随着TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示)和EL技术进步，AMOLED(有源有机发光显示)逐步产业化，柔性、激光等显示新技术不断出现，新一轮争论又开始了。2013年，中国液晶面板产业进入新变革时期。　　在9月10日第四届...[详细]
李楠力挺罗永浩：他没坑用户钱，比ofo好多了

集微网消息，最近罗永浩负面新闻不断，只要有点风吹草动，媒体就蜂拥报道，不管是罗永浩卸任三家公司的法定代表人，还是冻结资金账户等，几乎都能上科技或者互联网媒体的头条新闻，作为做手机的同行，魅族科技高级副总裁李楠对于罗永浩的现状则是力挺他。李楠在知乎发表观点，他称：“虽然我觉得 ofo 挪用用户押金纯属活该，但是老罗还是不一样吧。他不但没有坑用户的钱，还提供了一些有价值的产品。 ofo 有人说...[详细]
2018年国家及各省市智能制造最新政策汇总

智能制造是全球制造业变革的重要方向，给人类经济和社会可持续发展展示了美好前景。目前已有多个国家发布了相关支持政策。例如，美国的“再工业化”计划、德国的“工业4.0”计划、日本的“新机器人战略”计划等。图表1：全球各主要国家相关智能制造政策汇总截至2018年全国智能制造政策汇总及解读自2015年以来，我国发布多项政策大力支持智能制造快速发展。一系列智能制造政策和相关推动措施的出台，已...[详细]
传Evad3rs团队将解散 iOS 7.1越狱无期？

iOS 7.1发布已经有段时间了，就在所有人都在期盼能在 ios 7.1上实现完美越狱的时，现在又突然传出著名的黑客越狱团队Evad3rs或正在走向解散的地步，而iOS 7.1的越狱或许也将遥遥无期。　　消息称，该团队要解散很可能是出于iOS 7.1已经封锁了几乎可以利用的越狱漏洞，让越狱难上加难团队的运作也几乎不能正常运行。所以现在团队内部正面临解体、成员年各奔东西的局面...[详细]
赛灵思联袂Apical为HDTV提供低功耗方案

在2009年1月8日开幕的全球消费电子大展（CES）上，全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司（Xilinx, Inc.）和英国成像技术公司（Apical Limited）宣布推出突破性的视频显示技术，结合Apical Smart Backlight™ Display系统能够降低功耗并增强高清晰电视（HDTV）的观看体验。这一新的图像解决方案结合了Apical持有专利的 iridix®图...[详细]
详解医疗机器人行业七大关键技术

中投顾问在《2016-2020年中国医疗机器人产业深度调研及投资前景预测报告》中表示，医疗机器人行业主要关键技术有以下七项：　　一、优化设计技术　　医用机器人既然叫机器人，那就离不开机器人的基础理论和关键技术，包括机构、控制、传感、人机交互、遥操作和材料等等，这方面和传统机器人没有太大差别。设计时要摆脱传统工业机器人的“影子”，实现轻量化、精密、灵巧机器人机构构型创...[详细]
投资8.05亿华银电力建200MW/400MWh储能电站项目

　　按照国家发改委、国家能源局《关于加快推动新型储能发展的指导意见》和湖南省发改委《关于加快推动湖南省电化学储能发展的实施意见》，构建以新能源为主体的新型电力系统的要求，丰富公司电力业务类型，公司拟利用耒阳分公司扩建端闲置用地，建设200MW/400MWh储能电站项目（以下简称“耒阳集中储能项目”或“项目”）。　　项目基本情况　　（一）项目建设内容　　项目选址...[详细]
比iPhone SE更小巧，这款真·小屏智能机是你喜欢吗？

小众手机在如今激烈的市场竞争中已经很难存活，不过依然可以通过众筹的方式给少数人提供服务，比如今天介绍的 Jelly 2。　　这是 Unihertz 推出的该系列第二款产品，主打小巧便携，屏幕从上代的 2.45 英寸增加到了 3 英寸，480*854 像素，326PPI。屏幕使用第三代大猩猩玻璃，不过全面屏就别想了，也不是窄边框。　　顶部有一颗 800 万像素前置摄像头，以及听筒，底...[详细]
探讨美国手机市场：多样性的生态系统

10月25日消息（张月红）数一数在美国市场折戟的手机厂商，有曾经的全球霸主诺基亚、统领企业市场的黑莓，甚至日本索尼近期也宣布将暂时搁置美国智能手机市场，给出的原因是进军美国市场需要消耗公司大量的资源和营销成本。的确，美国不仅是全球最大的经济体，也是手机利润最高的市场，被视为很多企业海外扩展的最高地——全球最大规模、覆盖最广的4G LTE网络，智能手机的两大平台iOS和Android掌握在...[详细]