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M5M5V1132AFP-6

Cache SRAM, 32KX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM INCH, 0.65 MM PITCH, QFP-100

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Mitsubishi(日本三菱)

厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
QFP
包装说明
QFP, QFP100,.7X.9
针数
100
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A991.B.2.B
最长访问时间
5.5 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PQFP-G100
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
CACHE SRAM
内存宽度
32
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
100
字数
32768 words
字数代码
32000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32KX32
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QFP
封装等效代码
QFP100,.7X.9
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.002 A
最大压摆率
0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3.13 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.635 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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