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M74HC07M1R

HEX BUFFER OPEN DRAIN

器件类别:逻辑    逻辑   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
SOIC
包装说明
SO-14
针数
14
Reach Compliance Code
compli
Is Samacsys
N
系列
HC/UH
JESD-30 代码
R-PDSO-G14
JESD-609代码
e4
长度
8.65 mm
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
BUFFER
最大I(ol)
0.004 A
湿度敏感等级
1
功能数量
6
输入次数
1
端子数量
14
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
输出特性
OPEN-DRAIN
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP14,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Su
27 ns
传播延迟(tpd)
135 ns
认证状态
Not Qualified
施密特触发器
NO
座面最大高度
1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)
6 V
最小供电电压 (Vsup)
2 V
标称供电电压 (Vsup)
4.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
3.9 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与M74HC07M1R相近的元器件有:M74HC07C1R、M74HC07、M74HC07B1R、M54HC07F1R、M54HC07。描述及对比如下:
型号 M74HC07M1R M74HC07C1R M74HC07 M74HC07B1R M54HC07F1R M54HC07
描述 HEX BUFFER OPEN DRAIN HEX BUFFER OPEN DRAIN HEX BUFFER OPEN DRAIN HEX BUFFER OPEN DRAIN HEX BUFFER OPEN DRAIN HEX BUFFER OPEN DRAIN
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 不符合 -
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) - ST(意法半导体) ST(意法半导体) -
零件包装代码 SOIC QFN - DIP DIP -
包装说明 SO-14 PLASTIC, CC-20 - PLASTIC, DIP-14 CERAMIC, DIP-14 -
针数 14 20 - 14 14 -
Reach Compliance Code compli compli - compli _compli -
系列 HC/UH HC/UH - HC/UH HC/UH -
JESD-30 代码 R-PDSO-G14 S-PQCC-J20 - R-PDIP-T14 R-GDIP-T14 -
JESD-609代码 e4 e3 - e3 e0 -
负载电容(CL) 50 pF 50 pF - 50 pF 50 pF -
逻辑集成电路类型 BUFFER BUFFER - BUFFER BUFFER -
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A - 0.004 A 0.004 A -
功能数量 6 6 - 6 6 -
输入次数 1 1 - 1 1 -
端子数量 14 20 - 14 14 -
最高工作温度 125 °C 85 °C - 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -55 °C -40 °C - -55 °C -55 °C -
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN - OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED -
封装代码 SOP QCCJ - DIP DIP -
封装等效代码 SOP14,.25 LDCC20,.4SQ - DIP14,.3 DIP14,.3 -
封装形状 RECTANGULAR SQUARE - RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE CHIP CARRIER - IN-LINE IN-LINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 2/6 V 2/6 V - 2/6 V 2/6 V -
传播延迟(tpd) 135 ns 23 ns - 135 ns 27 ns -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified -
施密特触发器 NO NO - NO NO -
座面最大高度 1.75 mm 4.57 mm - 5.1 mm 5.08 mm -
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V - 6 V 6 V -
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V - 2 V 2 V -
标称供电电压 (Vsup) 4.5 V 5 V - 4.5 V 5 V -
表面贴装 YES YES - NO NO -
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS -
温度等级 MILITARY INDUSTRIAL - MILITARY MILITARY -
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 GULL WING J BEND - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm - 2.54 mm 2.54 mm -
端子位置 DUAL QUAD - DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
宽度 3.9 mm 8.9662 mm - 7.62 mm 7.62 mm -
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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